В настоящей статье рассматриваются основные характеристики биполярных транзисторов с изолированным затвором IGBT (Insulated Gate Bipolar Trnsisstor). Статья предназначена для того, чтобы дать читателю углубленные знания относительно технологии изготовления IGBT.

Специально разработанные для применения в промышленных электроприводах

Для промышленных электроприводов с уровнями мощности, которые не требуют IGBT модулей существует ограниченное количество оптимизированных дискретных IGBT. Семейство IGBT TO247 8-го поколения (Gen8) в от International Rectifier (IR) открывает возможность разработчикам применять самые современные, высокопроизводительные и высоконадежные IGBT технологии в дискретном исполнении.

Llewellyn Vaughan-Edmunds, Andrea Gorgerino, Yannick Maurice, International Rectifier Corporation