Анализ надежности микрокомпонентов

Анализ неисправностей состоит из оперативно подтверждающих различных условий неполадок, котрорые происходят в различных производственных процессах и у потребителей, исследуюя электрические характеристики с помощью LSI-тестера и других интструментов, а затем используя эти результаты вместе с оптимальными физико-химическими методами и аналитическим оборудованием для уточнения причин и механизмов, которые привели к неисправностям.
В последние годы чипы, используемые в полупроводниковых приборах становятся все более высокоинтегрированными, а изделия становятся все более функциональными, например, изделия с нескольками чипами, установленными в одном корпусе микросхемы (SIP:System in Package). В результате производственные процессы становятся все более компактными и комплексными, а причины неисправностей и механизмы также диверсифицированными и более сложными.
Тем не менее, от полупроводниковых приборов требуются крайне высокие уровни качества и надежности. При изготовлении полупроводников стабильное качество и надежность должны учитываться от стадии разработки до стадии производства, чтобы предотвратить выход из стоя полупроводниковых приборов и причинение проблем потребителю. В связи с этим, очень важно быстро проанализировать вышедшие из строя продукты, учавствующие в испытаниях на надежность или вышедшие из троя у потребителя, точно выяснить причины и механизмы выхода из строя, и обеспечить обратную связь с производственными и проектными процессами и качеством продукци.
Таким образом, технология анализа неисправностей является не просто средством для расследования причин неисправностей и механизмов выхода из строя продуктов, это жизненно необходимые и важнейшие технологии для качества и надежности, корректирующих мероприятний, направленных на снижение сбоев у потребителей, насколько это возможно.
Наиболее важным фактором в анализе неисправностей является то, насколько можно сузить локализацию неисправности, при этом сохраняя симптомы неисправностей (в неразрушенном состоянии). Процент выясненных ошибок широко варьируется в зависимости от того, можно ли сузить локализацию неисправности только к уровню функциональных блоков, или место возникновения неисправности может быть точно указано.
Поиск местоположения неисправности с радиусом примерно в 1 мкм в современных высокоинтегрированных полупроводниковых приборах сравним с поиском монеты, упавшей где-то в восьмиэтажном доме размером с футбольный стадион. В такой ситуации невозможно найти место просто путем поиска.
Шансы найти монетку могут быть увеличены сначала тщательно исследуя поведение и другие детали человека, который бросил монету, изолировать как можно большее место, где монету, как предполагается, уронили, а затем тщательно искать, как только место было определено.
Точно так же, изоляция неиправности полупроводниковых приборов начинается с исследования электрических характеристик с помощью LSI-тестера и других инструментов для того, чтобы примерно ограничить часть устройства, где неисправность может произойти.